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型号 PHD9NQ20T,118
厂商 NXP Semiconductors
描述 MOSFET N-CH 200V 8.7A SOT428
PHD9NQ20T,118 PDF
代理商 PHD9NQ20T,118
标准包装 2,500
系列 TrenchMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 8.7A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 400 毫欧 @ 4.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 24nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 959pF @ 25V
功率 - 最大 88W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装 D-Pak
包装 带卷 (TR)
其它名称 934055766118
PHD9NQ20T /T3
PHD9NQ20T /T3-ND
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